长鑫科技端出4F²：一颗不靠EUV的DRAM，撬动全球存储股

10月9日至10日，第四届集成芯片和芯粒大会在上海举行。长鑫科技总裁曹堪宇在演讲中系统介绍了公司在DRAM器件、4F²架构与混合键合方向的进展，并给出一个时间点：预计年底推出融合这些新技术的新一代DDR5 RDIMM产品（证券时报、中国基金报）。

三天后，这句话变成了首尔的行情。10月13日，三星电子、SK海力士股价分别下跌7.39%和10.09%；此前一个美股交易时段，美光、闪迪等存储标的已经先跌了一轮。10月14日跌势有所收窄，SK海力士跌幅回到1.66%，但10月15日开盘再度下挫，三星电子跌超5%、SK海力士跌超7%（Korea Times、证券时报）。

一、4F²改的是什么：把晶体管立起来

DRAM单元的面积由“F”决定——F是这一代工艺能画出的最小线宽。主流产品用的是6F²构型，即每个存储单元占6倍F的平方；4F²是把这个数字压到4倍。理论上，单胞面积因此缩小约33%，同样面积里能多塞约50%的单元（Korea Times）。

难点不在算术，而在怎么摆晶体管。长鑫这套方案的核心是自研的VSG（Vertical Surrounded Gate，垂直环绕栅极）晶体管，配合晶圆级混合键合，把三维结构用起来对冲光刻受限。CIC灼识副总监张笑璐的说法是“用三维架构跨越对冲光刻机受限的方法”，VSG属于业界研发多年的立式GAA（证券时报）。

对比之下，海外厂商的节奏更保守。三星据报在10a工艺开发中已找到基于4F²的工作die，业界预期2028年前后量产，官方未公布时间表；SK海力士2025年6月在日本公布的技术路线图里提到过4F²平台，同样没有披露量产日程（Korea Times）。而长鑫此前的量产工艺大致停留在16纳米一线，出口管制让它拿不到EUV光刻机——这也是它选择“提前跳切”的原因。

二、冷水：官宣到上量，中间隔着18到24个月

股价先跌，产业界的判断却谨慎得多。韩国业内人士的说法是：“宣布推出计划与真正把产品做进市场是两回事”，最终要看产能、良率、客户是谁、有没有通过认证。晨星分析师也提示，从发布4F产品到实现有商业价值的良率量产，中间会有较长的时间差（Korea Times、中国基金报）。

另一层是市场结构。服务器内存的验证周期通常要18至24个月；海外巨头眼下把产能重点压在HBM3e/HBM4上，通用型服务器DDR5本就处于紧平衡。因此短期内，这颗新架构的DDR5 RDIMM对全球供需不会有实质冲击，也不会立刻分流HBM的利润池。中长期看，它更可能先承接国内的自主保供需求，再动到韩美厂商在通用DDR5上的长期定价垄断，把对手挤向更高壁垒的HBM与定制内存（证券时报）。

三、支撑这次发布的，不止一张架构牌

9月20日，长鑫宣布第五代DRAM工艺平台（G5）正式量产，同步推出基于该平台的大容量LPDDR5X产品；G5通过四重曝光把内存阵列有源区半间距压到11.95纳米。9月28日，公司公告拟使用部分超募资金，推进总投资241亿元的技术研发项目（先进DRAM工艺迭代、新架构技术、先进封装与芯粒），以及总投资108亿元的后道测试基地二期（证券时报、超募资金核查意见）。

份额也在动。按Counterpoint Research估算，长鑫在全球DRAM营收中的份额已从2025年第二季度的4%提升至2026年第二季度的10%，成为全球第四大DRAM厂商；汇丰的估算同样是约10%，而一年前约为4%（证券时报、中国基金报）。今年7月，《金融时报》还报道称苹果已开始测试长鑫生产的DRAM芯片，用于在中国销售的设备，并为此游说美国政府（中国基金报）。

四、涟漪会先荡到设备链

按分析师的拆解，这套架构点名要用的能力集中在几处：超高深宽比等离子刻蚀、原子层沉积、晶圆级混合键合，以及超高精度化学机械抛光。主控芯片侧的压力则是软性的——对外销售的DDR5 RDIMM必须严格兼容JEDEC标准，核心架构无需重写，但底层漏电控制与散热界面变了，需要在动态刷新与电源管理固件上联合调优（证券时报）。

换句话说，这次突破真正稀缺的不是某一台设备，而是把“架构—工艺—封装—固件”串起来的能力。这也解释了为什么它更像一个起点，而不是一次换挡。

五、接下来看三件事

第一，年底那颗DDR5 RDIMM是否如期露面，是样品还是可交付的产品。第二，良率与客户认证：能不能进数据中心，比发布会更能说明问题。第三，对手的退守路线会不会加速——把通用DDR5的定价权让出一部分，集中守住HBM与定制内存。

长鑫这次证明的是一句更锋利的话：即使光刻节点被卡住，也能在有效位元密度上追平。从“证明”到“生意”之间还有一段路，但市场已经先用股价给这段路标了价（证券时报、新浪财经）。